français vers anglais Sciences Chimie / génie chim.

This is in a patent for MOSFET transistors. It shows up in this paragraph:

Avantageusement et de manière analogue, le dispositif électronique 2 selon l’invention permet de diminuer de manière importante la barrière Schottky pour les électrodes de source 10 et de drain 12 du transistor MOSFET 3 par ségrégation d’impuretés parmi le groupe II de la classification périodique des éléments, constitué de **doubles accepteurs**.

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